• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
大家还在搜
  • 三代半导体材料特点及资料介绍

    本文首先介绍了第三代半导体的材料特性,其次介绍了第三代半导体材料性能应用及优势,最后分析了了我国第三代

    2018-05-30 12:37

  • 三代半导体半导体区别

    半导体是指导电性能介于导体和绝缘体之间的材料,具有独特的电学性质,是电子工业中不可或缺的基础材料。随着科技的进步和产业的发展,半导体材料经历了从第一到第

    2024-10-17 15:26

  • 第一、第二、第三代半导体材料是什么?有什么区别

    本文首先分别对第一半导体材料、第二半导体材料和第三代半导体材料进行了

    2018-05-30 14:27

  • 三代半导体电力电子器件和产业趋势详解

    本文首先介绍了第3半导体主要应用领域的发展概况,其次介绍了第三代半导体电力电子器件和产业趋势,具体的跟随小编一起来了解一下。

    2018-05-31 14:38

  • 三代半导体材料发展面临的机遇和挑战

    第二半导体材料是指化合物半导体材料,如砷化镓(GaAs)、锑化铟(InSb)、磷化铟(InP),以及元化合物半导体

    2018-11-26 16:13

  • 三代半导体GaN材料的应用优缺点

      GaN功率电子器件具有较高的工作电压、较高的开关频率、较低的导通电阻等优点,能够以极低的成本和较高的技术成熟度兼容硅基半导体集成电路工艺,在新一高效、小型功率转换和管理系统中具有巨大的发展潜力,电力机车、工业电动机和其他领域。

    2023-02-13 16:46

  • 三代半导体材料氮化镓的性能特征

      GaN是一种无机物质,其化学式为GaN,是氮和镓的化合物,是自1990年以来常用于发光二极管的直接带隙半导体。该化合物在结构上类似于金鸡石,具有高硬度。氮化镓具有3.4电子伏特的宽能隙,可用于高

    2023-02-15 15:31

  • 进击的第三代半导体——碳化硅器件

    目前,国内外碳化硅功率电子分立器件商业化产品主要有功率二极管和SiC MOSFET。SiC功率二极管分为肖特基二极管(SBD)、PIN二极管和结势垒控制肖特基二极管种。

    2018-11-13 15:47

  • 半导体碳化硅(SiC)行业研究

    三代半导体性能优越,应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础,经历了数的更迭。随着应用场景提出更高的要求,以碳化硅、氮化镓为

    2024-01-16 10:48

  • 砷化镓半导体材料应用 发展现状如何

      砷化镓是第三代半导体,它是在第二半导体的基础上发展而来的,具有更高的电子迁移率、更高的热导率、更高的光学性能、更高的热稳定性、更高的电磁屏蔽性能和更高的耐腐蚀性。

    2023-02-16 15:59