型号: CES2321-VB丝印: VB2290品牌: VBsemi**详细参数说明：**- 通道类型: P沟道- 额定电压: -20V- 最大持续电流: -4A- 导通电阻 (RDS
2023-12-19 11:17 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：CES2331-VB丝印：VB2355品牌：VBsemi参数：- P沟道 MOSFET- 额定电压：-30V- 最大持续电流：-5.6A- 静态导通电阻 (RDS(ON))：47m
2023-12-20 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号
CES2312 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。应用简介
2023-12-06 14:05 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：CES2305-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数：- 封装类型：SOT23- 沟道类型：P—Channel- 最大漏电压（Vds）：-20V- 最大漏极电流（Id）：-4A- 静态
2023-12-29 11:35 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：CES2301-VB丝印：VB2290品牌：VBsemi参数说明：- **P沟道：** 该器件是一种P沟道MOSFET，电流在P沟道中流动，通常用于不同类型的应用，如电源开关等。- **工作
2023-12-18 11:45 微碧半导体VBsemi 企业号
晶体管测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......晶体管测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs
2024-07-31 14:10 陕西天士立科技有限公司 企业号
半导体功率器件静态参数测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......半导体功率器件静态参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V
2024-07-30 09:01 陕西天士立科技有限公司 企业号
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2024-07-29 14:08 陕西天士立科技有限公司 企业号
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2024-07-31 15:57 陕西天士立科技有限公司 企业号
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2025-03-21 15:08 汉源高科（北京）科技有限公司 企业号
