### 1. 产品简介**75433S3-VB TO263 MOSFET**75433S3-VB TO263是一款单通道N沟道MOSFET,采用了Trench技术,设计用于中等电流和中等电压
2024-11-19 14:43 微碧半导体VBsemi 企业号
related parametersSafety Integrity Level (SIL)SIL 2Systematic capability (SC)SC 3S
2022-08-19 09:39 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
CLF3H0060S-10 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、无与伦比的宽带 GaN-SiC HEMT 晶体管,可在 DC
2024-02-29 20:35 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
CLF3H0035S-100 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0035-100 和 CLF3H0035S-100 是 100 W 通用、无与伦比的宽带 GaN HEMT 晶体管
2024-02-29 20:31 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 一、产品简介**3LN01S-VB**是一款由VBsemi生产的单N沟道功率MOSFET,采用SOT23-3封装。它适用于低功率开关和信号放大电路中,具有低漏源电压(VDS)和低栅源电压
2024-11-06 15:46 微碧半导体VBsemi 企业号
起来。HT3S-ECS-ECS网关连接到EtherCAT总线中作为从站使用。ETHERCAT技术参数● 网关作为ETHERCAT网络的从站,可以连接倍福、欧姆龙、基恩士
2024-06-24 10:37 北京中科易联科技有限公司 企业号
CLF3H0060S-30 宽带射频功率 GaN HEMTCLF3H0060-30 和 CLF3H0060S-30 是 30 W 通用、无与伦比的宽带 GaN-SiC HEMT 晶体管
2024-02-29 20:30 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 2329S-VB 产品简介**2329S-VB** 是一款单极性 P-Channel MOSFET,采用 SOT23-3 封装,具有较高的漏极-源极电压和适中的漏源极电阻。它采用了沟槽
2024-07-10 14:38 微碧半导体VBsemi 企业号