下一代的实体设计系统IC Compiler，为Synopsys Galaxy Design Platform 2005的核心，其设计概念就在解决这些浮现的挑战，提供从RTL到芯片的一贯解决方案
2011-04-19 11:14
1 深亚微米 BiCMOS[B] 技术 器件进入深亚微米特征尺寸，为了抑制 MOS 穿通电流和减小短沟道效应，深亚
2018-03-16 10:29
TSMC推出最新深亚微米互通式EDA格式 TSMC 7日宣布针对65纳米、40纳米及28纳米工艺推出已统合且可交互操作的多项电子设计自动化(Electronic Design Automatio
2010-04-09 10:36
分析了在超深亚微米阶段，串扰对高性能芯片设计的影响，介绍了消除串扰影响的方法。 关键词：串扰，布线，关键路径，
2009-05-05 20:59
一种全新的深亚微米IC设计方法 本文分析了传统IC设计流程存在的一些缺陷，并且提出了一种基于Logical Effort理论的全新IC设计方法。 众所周知，传统的IC设计流
2009-12-27 13:28
CMOS工艺发展到深亚微米阶段，芯片的静电放电（ESD）保护能力受到了更大的限制。因此，需要采取更加有效而且可靠的ESD保护措施。基于改进的SCR器件和STFOD结构，本文提出了一种新颖
2012-03-27 16:27
BiCMOS[B]的 Twin-Well[1]与P-Well[2]或 N-Well[3] 的制造技术有很大的不同。主要是 CMOS 特征尺寸为亚微米级，使制造技术发生了重要的变化。 由于器件
2017-12-18 14:30
据江阴发布的信息透露，此次发布的亚微米互联技术依托本土设备技术实力，运用大视场光刻技术达到了0.8um/0.8um的线宽线距技术水准，所生产的硅穿孔转接板产品达到3倍光罩尺寸，这标志着盛合晶微在先进封装技术领域迈入亚
2024-05-20 11:47
新研发中心将基于麦吉尔大学授权的独家技术专利组合进行研究，开发全球首个高效亚微米级别Nano LED，将下一代Nano LED技术商业化，应用到电视、手机、智慧手表、AR眼镜等电子产品当中。
2023-03-15 11:13
新型深亚微米电流灵敏放大器技术设计 随着便携式电子设备(PDA、射频卡、GPS等)的广泛应用，半导体存储器得到了长足的发展。半导体存储器的性能
2010-04-27 17:37
