想知道为啥同一光源为什么可以衍生出这么多不同工艺节点，以Intel为例，2000年用的是180nm，而现在已经是10nm了，其实光刻机决定了半导体工艺的制程工艺，光刻机的精度跟光源的波长、物镜的数值孔径
2020-07-07 14:22
！光刻机本身的原理，其实和相机非常相似，同学们可以把光刻机就想成是一台巨大的单反相机。相机的原理，是被摄物体被光线照射所反射的光线，透过相机的镜头，将影像投射并聚焦在相机的底片（感光元件）上，如此便可
2020-09-02 17:38
据羊城晚报报道，近日中芯国际从荷兰进口的一台大型光刻机，顺利通过深圳出口加工区场站两道闸口进入厂区，中芯国际发表公告称该光刻机并非此前盛传的EUV光刻机，主要用于企业复工复产后的生产线扩容。我们知道
2021-07-29 09:36
如果国家以两弹一星的精神投入光刻机的研发制造，结果会怎样？
2020-06-10 19:23
电子直写光刻机驻极体圆筒聚焦电极 随着科技进步，对电子显微镜的精度要求越来越高。电子直写光刻机的精度与电子波长和电子束聚焦后的焦点直径有关，电子波长可通过增加加速电极电压来减小波长，而电子束聚焦后
2025-05-07 06:03
纳米定位平台跟纳米平台的区别是什么？
2015-07-19 09:42
是分步投影光刻机.利用分步投影光刻机,再结合移相掩膜等技术,已经得到了最小线宽0.10微米的图形。 ◆接近式暴光与接触式暴光相似,只是在暴光时硅片和掩膜版之间保留有很小的间隙,这个间隙一般在10~25
2012-01-12 10:56
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》文章：光刻前 GaAs 表面处理以改善湿化学蚀刻过程中的光刻胶附着力和改善湿蚀刻轮廓[/td][td]编号：JFSJ-21-0作者：炬丰科
2021-07-06 09:39
制造过程中，步骤会因为不同的材料和工艺而有所差异，不过大体上皆采用这样的类似工艺过程，于是就需要用到光刻机和刻蚀机。首先，在晶圆表面沉积一层薄膜，紧接着再涂敷上光刻胶（光阻），这时候
2018-08-23 17:34
下方的蚀刻速率远高于没有金属时的蚀刻速率，因此当半导体正被蚀刻在下方时，金属层会下降到半导体中。4 本报告描述了使用 MacEtch 工艺制造 100 到 1000 nm 的纳
2021-07-06 09:33
