1. 引言 镀膜技术是一种在基材表面形成薄膜的技术，广泛应用于光学、电子、机械、建筑等领域。二氧化硅作为一种常见的无机材料，因其良好的光学性能、化学稳定性和机械强度，在镀膜技术中得到了广泛应用
2024-09-27 10:10
二氧化硅是芯片制造中最基础且关键的绝缘材料。本文介绍其常见沉积方法与应用场景，解析SiO₂在栅极氧化、侧墙注入、STI隔离等核心工艺中的重要作用。
2025-04-10 14:36
在集成电路生产过程中，晶圆背面二氧化硅边缘腐蚀现象是一个常见但复杂的问题。每个环节都有可能成为晶圆背面二氧化硅边缘腐蚀的诱因，因此需要在生产中严格控制每个工艺参数，尤其是对边缘区域的处理，以减少这种现象的发生。
2025-07-09 09:43
二氧化硅薄膜实现增透的原因主要涉及以下几个方面： 1. 折射率匹配 折射率特性 ：二氧化硅（SiO₂）的折射率相对较低，这使得它能够作为一层有效的增透膜（或称为减反射膜）。当光线从一种介质进入另一种
2024-09-27 10:22
（Si）、二氧化硅（SiO2）、锗（Ge）等。其中，硅是最为常见和广泛应用的半导体材料之一。 硅是地壳中非常丰富的元素之一，它具有较高的化学稳定性、热稳定性和机械性能，因此硅材料具有广泛的应用前景。硅晶体的晶体结构为钻
2024-02-04 09:46
近年来，飞秒激光直写技术已经成为制造任意纳米精度三维微结构的热门工具。飞秒激光诱导双光子聚合(TPP)允许在聚合物中形成微透镜或更复杂的3D微结构。然而，这种逐点过程受到低效率的限制。只有微结构或纳米壳的表层通过直接激光写入进行光聚合，内部通过紫外光固化，制造效率显著提高。
2022-04-29 15:08
EPROM、EEPROM、FLASH都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出。
2019-05-07 10:56
当带电离子、电子或射线通过MOS结构的硅和二氧化硅绝缘层时，引起原子电离而产生电子—空穴对，在外加电场条件下，电子在1ps(1×10-12s)时间内被电场扫出氧化物，留下正陷阱电荷。
2024-02-27 11:40
在绝缘栅型场效应管中，目前常用二氧化硅作金属铝栅极和半导体之间的绝缘层，称为金属一氧化物-半导体场效应晶体管，简称为MOSFET或者MOS管。
2021-02-12 17:19
