宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物
2019-06-25 07:41
出来之后，材料质量逐步完善，器件性能和可靠性也在逐步改善。到目前为止，碳化硅的二极管以其优异的性能和使用过程中展现的可靠性，已经广泛应用在很多场合。氮化镓GaN和碳化硅同属于第三代
2017-05-15 17:09
接触处形成位垒，因而这类接触具有单向导电性。利用PN结的单向导电性，可以制成具有不同功能的半导体器件，如二极管、三极管、晶闸管等。此外，半导体材料的导电性对外界前提（如
2013-01-28 14:58
一、化合物半导体应用前景广阔，市场规模持续扩大 化合物半导体是由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有Ga
2019-06-13 04:20
(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代
2017-06-16 10:37
半导体材料
2012-04-18 16:45
在这里我们通过半导体与其他材料的主要区别来了解半导体的本性： 在室温下，半导体的电导率处在103~10-9西[门子]/厘
2018-03-29 09:04
半导体材料从发现到发展，从使用到创新，拥有这一段长久的历史。宰二十世纪初，就曾出现过点接触矿石检波器。1930年，氧化亚铜整流器制造成功并得到广泛应用，是半导体材料开始
2020-04-08 09:00
是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅
2023-02-20 15:15
第二代半导体材料的代表，GaAs和传统Si相比，有直接带隙、光电特性优越的特点，是良好的光电器件和射频器件的材料。GaAs器件也曾被认为是计算机CPU芯片的理想
2017-02-22 14:59
