和 MOSFET 桥会分开布置，这样可以针对栅极驱动器和桥采用不同的工艺技术并最大限度地降低 EMI。图 2：基于 TI MSP 430 微控制器的 BLDC
2019-10-31 08:00
理，栅极驱动器和 MOSFET 桥会分开布置，这样可以针对栅极驱动器和桥采用不同的工艺技术并最大限度地降低 EMI。 图 2：基于
2019-09-23 08:30
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-07-09 07:00
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对
2018-11-01 11:35
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2018-10-25 10:22
。 TI的产品组合包括具有行业领先的高速导通传播延迟的栅极驱动器。参见表1。 类别设备描述开启传播延迟高速驱动器UCC27517A4A / 4A高速低侧
2019-03-08 06:45
－集成至单个器件或封装 中的栅极驱动器、FET及保护电路（还可能 包括控制逻辑和检测电路）。*附件：TI - 旋转电机.pdf
2025-03-18 12:27
负电压栅极驱动器中的负电压处理是指承受输入和输出端负电压的能力。这些不必要的电压可能是由于开关转换、泄漏或布局不良引起的。栅极驱动器的负电压承受能力对于稳健可靠的解决方
2019-04-15 06:20
为何需要栅极驱动器栅极驱动器的关键参数
2020-12-25 06:15
