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  • 浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别

    小于5ns;  · 选用低传输延时,上升下降时间短的推挽芯片。  总之,相比于硅IGBT,碳化硅MOSFET在提升系统效率、功率密度和工作温度的同时,对于驱动器也提出了更高

    2023-02-27 16:03

  • 什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?

    随着电力电子技术的不断进步,碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐,成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分,栅极氧化

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  • 在开关电源转换器中充分利用碳化硅器件的性能优势

    使碳化硅MOSFET技术在将功率转换效率推向更高极限的同时,在经济方面也更加切实可行。原作者:北京稳固得电子

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    2019-07-04 04:20

  • 图腾柱无桥PFC中混合碳化硅分立器件的应用

    效率也会更高。当客户选择碳化硅MOSFET为主开关管后,通常也会愿意多花额外的成本将工频整流二极管D3和D4换成普通的低导通电阻(Rdson)的硅-

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    2019-08-02 08:44

  • 基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC谐振隔离DC/DC变换器方案研究

    进一步减小死区提高效率,本方案最高效率达到98.4%;碳化硅MOSFET驱动电荷Qg只有硅650VMOSFET的10%,减小了开关驱动损耗,能实现

    2016-08-05 14:32

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    面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高效率更高的功率密度和更优的性能,特别是在800 V

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    开关电源输出整流部分如果用碳化硅肖特基二极管可以用实现更高的直流电输出。    2、SiCMOSFET  对于传统的MOSFET,它的导通状态电阻很大,开关损耗很大,额定工作结温低,但是SiCMOSFET

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    应用领域,SiC和GaN形成竞争。随着碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等新材料陆续应用在二极管、场效晶体管(MOSFET)等组件上,电力电子产业的技术大革命已揭开序幕。这些新组件虽然在成本上仍比传统硅

    2021-09-23 15:02