温度升高，电流增大，NTC热敏电阻阻值下降，Ub下降，Ib减小，稳定晶体管静态工作点。
2008-03-12 00:49
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。 1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？ 2、场效应
2024-01-26 23:07
1. 晶体管的结构及类型 晶体管有双极型和单极型两种，通常把双极型晶体管简称为晶体管，而单极型晶体管简称为场效应
2021-05-13 06:43
晶体管是一个温度敏感器件，当温度变化时，其特性参数（β、ICBO、UBE）的变化比较显著，实验表明：温度每
2021-05-25 06:37
的大多数载流子传输。与双极晶体管相比，场效应管具有输入阻抗高、噪声低、限频高、功耗低、制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大器、数字电路和微波电路等。基于硅的金属MOSFET和基于GaAs
2023-02-03 09:36
选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电流特性的低电流领域（数字晶体管
2019-04-09 21:49
变化。因这一变化点在3V以下，故产品为合格。关于数字晶体管的温度特性根据环境温度、VBE、hFE、R1、R2变化。hFE的温度变化率约为0.5％/ºCVBE的
2019-04-22 05:39
列出使用VBE的测试方法。VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。图1. 热电阻测量电路由此，通过测定VBE，可以推测结温。通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：PC
2019-05-09 23:12
为了改善晶体管的开关特性，减小晶体管的损耗，在晶体管基极驱动电路的设计上会采取一些加速措施。如下： 加速电路一 在加速电路一中，并联在RB两端的电容CB称为
2020-11-26 17:28
晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极晶体管
2019-05-05 01:31
