AT25512N-SH-T:高效存储解决方案在当今电子产品日益复杂的环境中,可靠和高效的数据存储解决方案显得尤为重要。Microchip(美国微芯)推出的AT25512N-SH-T是一款高性能
2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
P-Sh-N-Ex离子棒具有与P-Sh-N相同的特性,P-Sh-N-E离子棒由离子产生器,离子棒,二位一体紧凑组合型静电消除设备,具有UL& ATEX&nbs
2021-12-10 15:36 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
荷兰P-Sh-N 静电消除器 离子棒是EP-Sh-N的一个升级版本,具有较高的的除静电效能,和超远的作用距离,配合Simco Ion专用的空气管和风刀系统,能够起到高效的除静电除尘作用和增大作用距离
2024-12-27 15:28 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
## 产品简介IPD800N06NG-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率器件,它具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻,适用于各种需要高电压和高电流驱动
2024-06-03 17:53 微碧半导体VBsemi 企业号
简介Simco-Ion P-SH-N离子棒是EP-Sh-N的一个升级版本,具有较高的的除静电效能,和超远的作用距离,配合Simco Ion专用的空气管和风刀系统,能够起到高效的除静电除尘作用和增大
2021-12-10 15:25 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号
### 产品简介APM7512NG-VB 是一种单 N 沟道 MOSFET,封装在 TO263 外壳中。该器件采用沟槽技术制造,专为高电流、高电压应用设计。其低导通电阻和高电流承载能力使其非常适合
2024-12-31 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号
产品简介:IPD400N06NG-VB 是由 VBsemi 公司生产的 N-Channel 沟道场效应晶体管,具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流。采用 TO252 封装。该器件
2024-06-03 17:49 微碧半导体VBsemi 企业号
。在危险区域中使用,带有 P-Sh-N-Ex防爆离子棒的 Typhoon。 特点采用 Simco-Ion 除静电离子棒,可快速中和静电,轻松除尘
2021-12-10 16:06 深圳市荣盛源科技有限公司 企业号