这门课，就比如存储器的分段和物理地址的形成，就特别可恶，段地址x10H等效于向左移四位，10H不是等于16D吗，怎么会是4呢，还有好多好多书上都是一笔带过，真是的，还是中科院编的，尼玛中科院的那些人
2013-10-08 14:53
据新华社7月2日报道，相变存储器，具有功耗低、写入速度快、断电后保存数据不丢失等优点，被业界称为下一代存储技术的最佳解决方案之一。记者近日从中科院上海微系统所获悉，由该所研发的国际领先的嵌入式相变存储器现已成功应用在
2019-07-16 06:44
紫外刻写光纤光栅平台的搭建提供从平台设计、核心光路系统设计，平台搭建、模块调谐到用户培训完整的刻写平台搭建服务，公司先后成功成功为中科院、中国电科集团等多家单位搭建刻写平台，尤其在核心的光学系统
2016-12-29 20:39
翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特
2019-07-01 07:22
dvd1478500169357149aichixihongshi500169357148770781327500169357147中科院500169357146
2015-08-05 14:45
100w级1064波段10/125特种光纤光栅应用于100w级光纤激光器谐振腔的特种光纤光栅。此产品为项目团队依赖于中科院上海光机所经过数年的技术积累，由我们完全掌握核心的生产技术和工艺，并在部分
2016-12-28 20:42
高质量的干涉条纹，从而用于在光纤中刻写光纤光栅。 南京聚科光电生产的相位掩模板经过自主设计，并由在美国的国际顶级衍射光学元件生产实验室进行加工生产，产品已经在中科院上海光机所、中电科23所等多家单位取得了广泛成功的应用。
2016-12-22 20:06
在POM板上磁控溅射下电极，再用旋涂法把PVDF油墨旋涂到下电极上，再在压电层上磁控溅射上上电极形成三明治结构，但是上下电极都是短路状态，造成短路的可能原因是什么？压电层厚度约为2nm，电极厚度约为30um。
2023-04-28 18:21
国内的通富微电成为AMD 7nm芯片的封测厂商之一
2020-12-30 07:48
导读地球人都知道：地球存在着稳定的磁场，这个磁场像个“保护伞”保护着地球生命免受宇宙射线的侵害，为地球生命蓬勃生长贡献力量，并且推动了地球文明的发展。中科院合肥物质科学研究院固体物理研究所（以下简称
2019-07-02 08:26
