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ZG2131是专为无刷电机控制器驱动电路设计的高性价比大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成多种关键电路。采用特别高悬浮设计，耐压可达280V。输入逻辑兼容5V与3.3V。集成单颗半桥驱动。输出电流IO+1-1.1A/1.55A。内建死区控制电路，避免功率管因切换延迟同时导通。自带闭锁功能，阻止上、下管输出同时导通，保障电路安全。输入输出控制逻辑：HIN输入通道高电平有效，控制高端H

2025-10-17 10:06 中科微电半导体 企业号

N管 30V 178A 如需了解产品详情请联系我们

2025-04-11 17:56 中科微电半导体 企业号

ZG2131是高性价比大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成多种电路，专用于无刷电机控制器驱动电路。其高端工作电压可达300V，低端Vcc电源电压范围11V~20V，静态功耗小于100uA，具备闭锁功能，输入通道有内置电阻，输出电流能力IO+/-1/1.5A，采用SOP8封装。高悬浮设计耐压280V，输入逻辑兼容5V、3.3V。集成单颗半桥驱动，输出电流IO+1-1.1A/1.55A

2025-10-17 10:24 中科微电半导体 企业号

ZK30N100T是一款采用先进沟槽技术的N沟道增强型功率MOSFET，文档从核心特性、关键参数、应用场景、封装与包装、电气及热特性、测试电路、机械尺寸等多维度展开介绍，为该器件的选型、设计与应用提供全面技术支撑。漏源电压 30V栅源电压 ±20V连续漏极电流 90A连续漏极电流 55A脉冲漏极电流 360A单脉冲雪崩能量 90mJ功耗 90W结到壳

2025-10-15 17:54 中科微电半导体 企业号

产品概述极低的导通电阻 RDS (ON)低反向转移电容（Crss）100% 雪崩测试验证提升的电压变化率（dv/dt）承受能力产品参数表参数数值单位漏源极击穿电压（V_DSS）60V（伏特）栅源极阈值电压典型值（V_GS (th)_Typ）1.5V（伏特）漏极电流（@V_GS=10V）270A（安培）导通电阻典型值（@V_GS=10V）1.2mΩ（毫欧）导通

2025-10-22 17:55 中科微电半导体 企业号