的不断提升，光刻机缩激光波长也在不断的缩小，从436nm、365nm的近紫外（NUV）激光进入到246nm、193nm的
2020-07-07 14:22
十六分之一后成像（影像复制）在预涂光阻层的晶员（wafer）上。 对比相机和光刻机，被拍摄的物体就等同于微影制程中的光罩，聚光镜就是单反镜头，而底片（感光元件）就是预涂光阻层的晶圆。 是的
2020-09-02 17:38
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36
45-50台的交付量。这其中很大一部分都供给了台积电，用于扩充5nm，以及7nm产能。中微半导体除光刻机之外，蚀刻
2020-03-09 10:13
电子直写光刻机驻极体圆筒聚焦电极 随着科技进步，对电子显微镜的精度要求越来越高。电子直写光刻机的精度与电子波长和电子束聚焦后的焦点直径有关，电子波长可通过增加加速电极电压来减小波长，而电子束聚焦后
2025-05-07 06:03
如果国家以两弹一星的精神投入光刻机的研发制造，结果会怎样？
2020-06-10 19:23
当前，国内单片机芯片加工精度已经到了7nm，虽然三星吹牛说要烧到3nm，但是在芯片的研究道路上，是烧钱也烧时间呀。国内单片机领域的刻蚀机设备在今年也实现了相应的突破，让国人甚是欢喜。国内单片
2018-09-03 16:48
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工艺从目前的7nm升级到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43
微米之间,此间隙可以大大减少对掩膜版的损伤.接近式暴光的分辨率较低,一般在2~4微米之间,因此接近式光刻机只能装配在特征尺寸交大的集成电路生产线中.接触或接近式光刻机的主要优点是生产效率较高。 ◆接触式
2012-01-12 10:56
们的投入中，80%的开支会用于先进产能扩增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先进封装及特殊制程。而先进工艺中所用到的EUV极紫外
2020-02-27 10:42
