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  • 193 nm ArF浸没式光刻技术和EUV光刻技术

    翁寿松(无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU:(1)美国俄勒冈州Fab PID厂,2007年下半年量产;(2)美国亚利桑那州Fab 32厂,投资30亿美元,2007年末量产;(3)以色列Fab 28厂,投资35亿美元,2008年上半年量产;(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂,投资10~15亿美元,从90 nm过渡至45 nm,它是英特尔产首座300 mm晶圆厂,也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上,英特尔将于2009年推出32nmMPU,2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存,3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。

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    请问锂电池电池管理系统最新方向在哪里?或者难点在哪里呢?本人要做该题目的毕业设计,正在搜寻着力点。感谢!

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    光刻胶也称为光致抗蚀剂,是一种光敏材料,它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后,受到光照的

    2019-11-07 09:00

  • 用信号源产生200KHz的方波,要求带通滤波器对带外信号的衰减不低于20dB。请问怎么设计方案?

    求教!!!用信号源产生200KHz的方波,通过混频器,调制到5MHz的载波上,用LC带通滤波器,把4.8MHz和5.2MHz的信号过滤出来,要求带通滤波器对带外信号的衰减不低于20dB。请问怎么设计方案啊,难点在哪里啊~~~~

    2016-10-20 12:52