的不断提升，光刻机缩激光波长也在不断的缩小，从436nm、365nm的近紫外（NUV）激光进入到246nm、193nm的
2020-07-07 14:22
的要求则反过来，我们要确保影像要绝对清晰，就要将对焦点落在光阻上，并且确保光阻绝对不可落到景深范围之外。那ASML的光刻机景深有多大呢？ 所以我们就是要把光阻移到这个100nm的范围之内，是不是有点
2020-09-02 17:38
EUV主要用于7nm及以下制程的芯片制造，光刻机作为集成电路制造中最关键的设备，对芯片制作工艺有着决定性的影响，被誉为“超精密制造技术皇冠上的明珠”，根据之前中芯国际的公报，目...
2021-07-29 09:36
兆易创新推出全国产化24nm SPI NAND Flash
2021-01-07 06:34
如果国家以两弹一星的精神投入光刻机的研发制造，结果会怎样？
2020-06-10 19:23
电子直写光刻机驻极体圆筒聚焦电极 随着科技进步，对电子显微镜的精度要求越来越高。电子直写光刻机的精度与电子波长和电子束聚焦后的焦点直径有关，电子波长可通过增加加速电极电压来减小波长，而电子束聚焦后
2025-05-07 06:03
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice今日宣布，正式推出全国产化24nm工艺节点的4GbSPINANDFlash产品——GD5F4GM5系列。该系列产品实现了从设计研发、生产制造到
2020-11-26 06:29
%，Lam Research为10亿美元，占台积电采购额的9%，迪恩士占5%，KLA占4%。ASML目前，全球仅有ASML一家公司掌握着EUV光刻机的核心技术，这也是5nm制程必需的设备，但EUV
2020-03-09 10:13
，购买或者开发EUV光刻机是否必要？中国应如何切实推进半导体设备产业的发展？EUV面向7nm和5nm节点所谓极紫外光刻，
2017-11-14 16:24
是分步投影光刻机.利用分步投影光刻机,再结合移相掩膜等技术,已经得到了最小线宽0.10微米的图形。 ◆接近式暴光与接触式暴光相似,只是在暴光时硅片和掩膜版之间保留有很小的间隙,这个间隙一般在10~25
2012-01-12 10:56
