的 SYS-2722 提供了测试转换器技术最新进展所需的无与伦比的失真和噪声性能，并结合了 192k 数字输入和输出功能。AP SYS-2722 具有真正的双域架构，可对模
2023-09-12 10:44 深圳市智达仪器有限公司 企业号
的 SYS-2722 提供了测试转换器技术最新进展所需的无与伦比的失真和噪声性能，并结合了 192k 数字输入和输出能力。AP SYS-2722 具有真正的双域架构，可以对
2023-02-10 10:54 深圳市智达仪器有限公司 企业号
在当前还是在将来它们总能与数字调制技术领域中的最新进展保持同步。SMIQ 系列包括四种型号，各型号的频率范围和应用领域均有所差别。SMIQ02 和SMIQ03在信号
2022-08-15 15:59 深圳市精博仪器有限公司 企业号
### 14NM65N-VB TO247 产品简介14NM65N-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO247 封装技术。该器件具有 650V 的漏源电压 (VDS
2024-07-06 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：VBsemi的MOSFET产品14NM50N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术，具有500V的漏极-源极电压（VDS）和14A的漏极电流（ID
2024-07-06 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号
1550nm半导体光放大器SOA芯片见合八方1550nm波长的半导体光放大器（SOA）芯片是一款高增益、高功率、低偏振损耗、高消光比的全工艺国产化的
2022-05-23 21:44 天津见合八方光电科技有限公司 企业号
### 产品简介14NM65N-VB TO220F 是一款单通道 N 型 MOSFET，采用平面（Plannar）技术。具有高耐压特性和适中的导通电阻，适用于中等功率应用中的功率控制和开关电路
2024-07-06 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：14NM50N-VB是一款单N沟道MOSFET，具有550V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS，±V）、3V的阈值电压（Vth）、260mΩ@VGS=10V
2024-07-06 15:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介VBsemi的14NM65N-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，具有700V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极
2024-07-06 15:54 微碧半导体VBsemi 企业号
Rohde&Schwarz公司的SMIQ系列信号源支持各种模拟与数字调制方式。由于该系列仪器使用了先进的电路技术和开放的系统结构，所以无论是在当前还是在将来它们总能与数字调制技术领域中的新进展保持
2023-12-05 17:50 深圳市精博仪器有限公司 企业号
