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  • 我所了解的中国电子元器件行业

    光刻机完成的。而台积电没有使用EUV光刻机的7纳米工艺要到今年底才能量产,英特尔会更晚些。使用EUV光刻机未来可升级到更先进的5纳米制程。这样看来,中国的IC制程技术比

    2018-06-13 14:40

  • 193 nm ArF浸没式光刻技术和EUV光刻技术

    翁寿松(无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU:(1)美国俄勒冈州Fab PID厂,2007年下半年量产;(2)美国亚利桑那州Fab 32厂,投资30亿美元,2007年末量产;(3)以色列Fab 28厂,投资35亿美元,2008年上半年量产;(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂,投资10~15亿美元,从90 nm过渡至45 nm,它是英特尔产首座300 mm晶圆厂,也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上,英特尔将于2009年推出32nmMPU,2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存,3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。

    2019-07-01 07:22

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    2024-05-26 20:20

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    中国RFID标准方案——《DPC与商联网白皮书》;北京实华开信息技术有限公司总裁曾强提出以收购或合营的方式完成对IP-X标准的知识产权国产化。

    2019-10-14 07:28

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    2017-11-25 14:30

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    2015-07-13 17:11

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    2019-11-07 09:00

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    2021-10-13 06:31

  • 压力传感器的国产化关键是什么?

    压力变感器,尤其是差压变送器在我国石化行业大量使用。变送器来源的绝大多数依靠进口,不仅价格昂贵,而且,由于不具有自主知识产权,很有可能暗藏潜在威胁。能源安全关乎国家安全,因此传感器国产化迫在眉睫。

    2019-10-08 06:50

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    2021-05-13 06:56