• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
  • 全部板块
    • 全部板块
大家还在搜
  • 我所了解的中国电子元器件行业

    光刻机完成的。而台积电没有使用EUV光刻机的7纳米工艺要到今年底才能量产,英特尔会更晚些。使用EUV光刻机未来可升级到更先进的5纳米制程。这样看来,中国的IC制程技术比

    2018-06-13 14:40

  • 请问中国需要什么样的FPGA?

    欧美主流市场需要大尺寸、复杂而且昂贵的FPGA,那中国市场需要什么样的FPGA呢?

    2019-08-02 08:06

  • 193 nm ArF浸没式光刻技术和EUV光刻技术

    翁寿松(无锡市罗特电子有限公司,江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU:(1)美国俄勒冈州Fab PID厂,2007年下半年量产;(2)美国亚利桑那州Fab 32厂,投资30亿美元,2007年末量产;(3)以色列Fab 28厂,投资35亿美元,2008年上半年量产;(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂,投资10~15亿美元,从90 nm过渡至45 nm,它是英特尔产首座300 mm晶圆厂,也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上,英特尔将于2009年推出32nmMPU,2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存,3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。

    2019-07-01 07:22

  • 太阳电池薄膜激光刻配了台特域冷水,用的是什么制冷

    太阳电池薄膜激光刻配了台特域冷水,用的是什么制冷

    2017-11-25 14:30

  • 光刻胶有什么分类?生产流程是什么?

    光刻胶也称为光致抗蚀剂,是一种光敏材料,它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后,受到光照的

    2019-11-07 09:00

  • FPGA实现什么样的算法?

    FPGA功能如此强大,请问用FPGA实现或者比较适合实现什么样的算法?

    2024-05-26 20:18

  • 请问什么样的排线反复折弯而不短线?

    什么样的排线 经得起 反复折弯而不断线?折弯的半径2MM 左右。求推荐。

    2019-03-03 22:49

  • led驱动电源的芯片起到什么样的作用?什么功能?

    led驱动电源的芯片起到什么样的作用?什么功能?

    2018-04-24 11:41

  • STM32F407单片DMA通道映射关系图是什么样的?

    STM32F407单片DMA通道映射关系图是什么样的?

    2021-12-15 07:23

  • 什么样的的单片可以发出50-200K的12位精度PWM啊?

    什么样的的单片可以发出50-200K的12位精度PWM啊?使得单片可控制互补PWN.有没有这样的单片?推荐下啊

    2016-01-11 09:45