翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab 28厂，投资35亿美元，2008年上半年量产；(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂，投资10～15亿美元，从90 nm过渡至45 nm，它是英特尔产首座300 mm晶圆厂，也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22
光刻机完成的。而台积电没有使用EUV光刻机的７纳米工艺要到今年底才能量产，英特尔会更晚些。使用EUV光刻机未来可升级到更先进的5纳米制程。这样看来，中国的ＩＣ制程技术比
2018-06-13 14:40
太阳能电池薄膜激光刻蚀机配了台特域冷水机，用的是什么制冷机？
2017-11-25 14:30
据媒体报道日前，中国航空工业集团研制出一种新型机载共形天线，并成功用于军用直升机上。无独有偶，在不久前举行的第八届世界雷达博览会上，中国电子科技集团也展示了一款机载共形天线，可安装于机身或机翼表面
2019-08-13 07:05
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的
2019-11-07 09:00
19 世纪中叶，Becquerel建立了第一个DCFC，因碳电极里的硝酸盐导致了电池的失活。1896 年，Jacques 成功研制出一个以铁为阴极，熔融碱性氢氧化物为电解液的DCFC，功率1.5 kW，400～500 ℃输出电压为0.9 V ,电效率为32%。
2019-10-16 09:11
本人某985电子学院研一学生，我们导师在我刚来的时候就把一个课题给我去做，前期的材料与薄膜学长学姐们已经完成了，让我解决后期的光刻与器件制备等问题。本来我觉得是一个很好的锻炼自己的机会，就直接答应了
2018-02-27 15:47
喷胶机是现代光电子产业中光刻胶涂布的重要设备。可对不同尺寸和形状的基片进行涂胶，最大涂胶尺寸达8寸，得到厚度均匀的光刻胶层，同时可对大深宽比结构的侧壁进行均匀涂胶；通过计算机系统控制器进行工艺参数的编辑和操作。
2020-03-23 09:00
自主飞行无人直升机的研究是现今多学科交叉研究的热点与难点。无人直升机在炮兵射击训练、战场监视、输电线路巡视，森林火灾状况观测等军用与民用方面都有着广泛的作用。自从1917年英国研制出
2019-11-07 07:28
中国物品编码中心作为EPCglobal在中国的EPC工作机构，积极开展EPC的注册、管理和业务推广工作；信息产业部科技司十进制网络标准工作组组长谢建平在我国原有NPC编码体系的基础上曾经提出了一套
2019-10-14 07:28
