本推文主要介Ga2O3器件，氧化镓和氮化镓器件类似，都难以通过离子注入扩散形成像硅和碳化硅的一些阱结构，并且由于氧化镓能
2023-11-27 17:15
西安电子科技大学微电子学院周弘副教授总结了目前氧化镓半导体功率器件的发展状况。着重介绍了目前大尺寸衬底制备、高质量外延层生长、高性能二极管以及场效应晶体管的研制进展。同时对氧化
2019-01-10 15:27
氧化镓有5种同素异形体，分别为α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化镓）最为稳定，当加热至一定高温时，其他亚稳态均转换为β相，在熔点1800℃时必为β相。目前
2023-03-12 09:23
)半导体器件有可能实现更高电压的电子设备。候选UWBG半导体包括氮化铝(AlN)、立方氮化硼和金刚石，但在过去十年中，研究活动增加最多的可能是氧化镓(Ga2O3)。这种兴趣的部分原因是由于其4.85
2022-11-29 14:46
氮化镓芯片和硅芯片是两种不同材料制成的半导体芯片，它们在性能、应用领域和制备工艺等方面都有明显的差异。本文将从多个方面详细比较氮化
2024-01-10 10:08
超宽带隙(UWBG)半导体相比si和宽带隙材料如SiC和GaN具有更优越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化镓正逐渐展现出其在高压电力电子领域的未来应用潜力。本文总结了氧化
2024-06-18 11:12 深圳市浮思特科技有限公司 企业号
氮化镓半导体芯片（GaN芯片）和传统的硅半导体芯片在组成材料、性能特点、应用领域等方面存在着明显的区别。本文将从这几个方面进行详细介绍。 首先，氮化
2023-12-27 14:58
氮化镓芯片是一种新型的半导体材料，由于其优良的电学性能，广泛应用于高频电子器件和光电器件中。在氮化镓芯片的生产工艺中，主要包括以下几个方面：材料准备、
2024-01-10 10:09
氮化镓（GaN）芯片是一种新型的半导体材料，由氮化镓制成。它具有许多优越的特性，例如高电子迁移率、高耐压、高频特性和低电阻等，这使得它在许多领域有着广泛应用的潜力。以下是几个氮化
2024-01-10 10:13
氧化镓（Ga2O3 ）是性能优异的超宽禁带半导体材料，不仅临界击穿场强大、饱和速度高，而且具有极高的 巴利加优值和约翰逊优值，在功率和射频器件领域具有重要的应用前景。本文聚焦于 Ga2O3射频器件
2025-06-11 14:30
