本推文主要介Ga2O3器件，氧化镓和氮化镓器件类似，都难以通过离子注入扩散形成像硅和碳化硅的一些阱结构，并且由于氧化镓能
2023-11-27 17:15
成熟。2023年2月，我国首颗6英寸氧化镓单晶被成功制备，中国电科46所成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构，
2023-03-15 11:09
时间。 更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上，基于氮化镓的充电
2023-06-15 15:32
在超宽禁带半导体领域，氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。泰克中国区技术总监张欣与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授，围绕氧化
2025-04-29 11:13
我国的氧化镓衬底能够小批量供应，外延、器件环节产业化进程几乎空白，研发主力军和突出成果都在高校和科研院所当中。
2023-02-22 10:59
三菱电机公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家开发和销售氧化镓晶圆的日本公司，氧化镓晶圆是一个很有前途的候选者。三菱
2023-08-08 15:54
VB法4英寸氧化镓单晶导电型掺杂 2025年1月，杭州镓仁半导体有限公司（以下简称“镓仁半导体”）基于自主研发的氧化
2025-02-14 10:52
管制，就足以证明。 日本在氧化镓领域的研究起步较早，目前在国际上处于领先地位。不过，由于目前氧化镓产业化的进度缓慢，因此主要是一些大学研究机构以及初创
2023-11-06 09:26
FLOSFIA 的氧化镓功率器件使用一种称为α-Ga2O3的材料。氧化镓具有不同晶形的β-Ga2O3，结构更稳定。然而，由于α型在带隙等特性方面优越（Si的带隙值(eV
2022-07-28 11:22
氧化镓（Ga2O3）半导体具有4.85 eV的超宽带隙、高的击穿场强、可低成本制作大尺寸衬底等突出优点。
2023-08-17 14:24
