光刻机完成的。而台积电没有使用EUV光刻机的７纳米工艺要到今年底才能量产，英特尔会更晚些。使用EUV光刻机未来可升级到更先进的5纳米制程。这样看来，
2018-06-13 14:40
翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab 28厂，投资35亿美元，2008年上半年量产；(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂，投资10～15亿美元，从90 nm过渡至45 nm，它是英特尔产首座300 mm晶圆厂，也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22
近日在中国光谷”国际光电子博览会暨论坛（OVC EXPO2018）期间，“5G时代的信息通信产业高峰论坛”在中国光谷科技会展中心隆重举行。烽火通信技术专家马俊在现场发表了“5G时代的承载网络
2021-02-03 07:58
芯片是怎么产生技术
2019-05-09 02:46
中国科技部高新司张智文博士提出，中国RFID最可能在两个方面突破，首先是在行业系统内和企业内部的闭环应用系统；其次是那些能够重复使用的RFID标签。 相较于去年提出的“RFID(无线射频识别
2019-07-04 07:25
在半导体技术中，与数字技术随着摩尔定律延续神奇般快速更新迭代不同，模拟技术的进步显得缓慢，其中电源半导体技术尤其波澜不惊，在十年前开关电源就已经达到90+%的效率下，似
2019-07-16 06:06
美国登月也想用中国的技术？
2020-12-18 07:08
光刻胶也称为光致抗蚀剂，是一种光敏材料，它受到光照后特性会发生改变。光刻胶主要用来将光刻掩膜版上的图形转移到晶圆片上。光刻胶有正胶和负胶之分。正胶经过曝光后，受到光照的
2019-11-07 09:00
太阳能电池薄膜激光刻蚀机配了台特域冷水机，用的是什么制冷机？
2017-11-25 14:30
嵌入式，单片机这条路如何才能突破？
2022-01-21 06:06
