电子发烧友

　　1、经常在功率较大的放大电路，功率管的基极b与发射极e即发射结并联两个反向的二极管，这是通过对发射结输入电流的分流作用而起保护作用;　　2、两个二极

2012-01-06 17:00

我们经常看到，在电源电路中，功率MOS管的G极经常会串联一个小电阻，几欧姆到几十欧姆不等，那么这个电阻用什么作用呢？ 如上图开关电源，G

2021-11-12 08:20

管的栅极。这种应用最好在栅源极之间并联一个15V左右的稳压管。　　3.MOS管的并联对布线的要求　　大家知道，多个

2018-11-28 12:08

` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 编辑 软开关技术不是你说的这4个开关元件就够的。它还需要电感和电容的谐振，使MOS管或三极管组成的开

2012-07-09 16:23

电压BVDS　　在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS　　ID剧增的原因有下列两个方面：　　（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿　　（2）漏源极

2018-11-20 14:06

更高的电压。两个电压采用共地方式连接。　　这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同

2018-12-03 14:43

两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就

2018-10-25 16:36

（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS　　ID剧增的原因有下列两个方面：　　（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿　　（2）漏源极间的穿通击穿　　有些MOS管中，其

2018-11-20 14:10

，逻辑部分使用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的M

2018-11-14 09:24