报告内容包含： 微带WBG MMIC工艺 GaN HEMT 结构的生长 GaN HEMT 技术面临的挑战
2023-12-14 11:06
与电路材料的相互作用都会影响性能。通过对不同信号注入设置的了解，以及对一些射频微波信号注入方法的优化案例的回顾，性能可以得到提升。
2022-10-24 11:30
与电路材料的相互作用都会影响性能。通过对不同信号注入设置的了解，以及对一些射频微波信号注入方 法的优化案例的回顾，性能可以得到提升。 实现有效的信号注入与设计相关，一般
2018-02-14 07:55
。由于这些优势，GaN HEMT在射频功率放大器、微波通信、雷达、卫星通信和电源应用等领域被广泛采用。 然而，GaN HEMT也存在一些限制，其中一个是它不能作为低压器件使用。下面将详细探讨为什么GaN
2023-12-07 17:27
UMS CHK8201-SYA是款前所未有的功率棒微波晶体管，CHK8201-SYA集成化2个CHK8101A99F功率棒封装形式，能够单独浏览，可以产生45W的搭配输出功率。CHK8201-SYA
2023-05-09 11:32
描述無極電容3.3UF50V出廠3.3uf50v無極性徑向鋁電解電容器-40~+105°c負載壽命為2000至3000小時尺寸：5*11mm額定紋波電流：26mArms提供OEM/ODM服務提供免費
2022-04-15 16:50 华凯电容（深圳）有限公司 企业号
GaN HEMT（氮化镓高电子迁移率晶体管）作为一种先进的功率半导体器件，在电力电子、高频通信、汽车电子等多个领域展现出了显著的优势，但同时也存在一些缺点。以下是对GaN HEMT优缺点的详细分析：
2024-08-15 11:09
ＪＦＥＴ閘極接地前置放大器,JFET preamplifier 关键字：前置放大器,前置放大电路,MOST FET,2SK125 圖
2018-09-20 18:46
雙極電晶體模型及電路 零件電晶體 2N3904 一枚；電阻 4.7M、1M、470k、100k、47k、4.7k、3.3k、1k、270W 各一枚；精密電阻 1k 一枚。目
2008-10-10 11:50
單閘極MOS FET 前置放大器,mos fet preamplifier 关键字：前置放大器,前置放大电路,MOST FET,2SK241
2018-09-20 18:45
