与电路材料的相互作用都会影响性能。通过对不同信号注入设置的了解，以及对一些射频微波信号注入方 法的优化案例的回顾，性能可以得到提升。 实现有效的信号注入与设计相关，一般
2018-02-14 07:55
关态漏电是制约HEMT器件性能提升的重要因素之一，采用绝缘栅HEMT器件结构可以有效减小器件关态漏电。图1给出了S-HEMT、MIS-HEMT、MOS-
2023-02-14 09:18
氮化镓 ( GaN) 作为第三代半导体材料的典型代表，具有高击穿电场强度和高热导率 等优异的物理特性，是制作高频微波器件和大功率电力电子器件的理想材料。GaN 外延材料的 质量决定了高电子迁移率
2023-02-20 11:47
离子注入是将高能离子注入半导体衬底的晶格中来改变衬底材料的电学性能的掺杂工艺。通过注入能量、角度和剂量即可控制掺杂浓度和深度，相较于传统的扩散工艺更为精确。
2024-02-21 10:23
2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍电子迁移率，这意味着与 RDS(ON) 和击穿电压相同的硅基器件相比，GaN RF 高电子迁移率晶体管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的应用超出了蜂窝基站和国防雷达范畴，在所有 RF 细分市场中
2022-09-19 09:33
由于界面固定电荷没有充放电效应，所以利用回滞曲线或变频方法无法提供界面固定电荷信息，平带电压VFB漂移是常用的用于计算界面固定电荷的方法。本文首先结合能带结构建立了肖特基栅和绝缘栅HEMT器件的平
2023-02-13 09:33
第三代半导体器件CaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具备较高的功率密度，同时具有较强的自热效应，在大功率工作条件下会产生较高的结温。根据半导体器件可靠性理论，器件的工作温度、性能及可靠性有着极为密切的联系，因此准确检测GaN HEMT的温度就显得极为重要。
2023-02-13 09:27
PCB材料及其厚度和工作频率范围等因素，以及连接器设计及其与电路材料的相互作用都会影响性能。通过对不同信号注入设置的了解，以及对一些射频微波信号注入方 法的优化案例的回顾，性能可以得到提升。
2020-03-13 14:44
本文开始介绍了什么是微波器件以及微波器件的分类，其次介绍了微波器件的作用，最后介绍了微波器件的应用及微波开关在
2018-02-08 16:44
