MGV100-26-P55MACOM 的 MGV100-26-P55 是电容为 0.13 pF、电容比为 2.5 至 4.7、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 3000
2023-04-10 16:02 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
MACOM 的 MGV125-26-P55 是电容为 0.13 pF、电容比为 3.7 至 9.4、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 3000 的变容二极管。标签：表面
2022-09-20 10:29 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
MACOM 的 MGV100-26-P55 是电容为 0.13 pF、电容比为 2.5 至 4.7、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 3000 的变容二极管。标签：表面
2022-09-19 16:47 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介VBsemi 的 26P3LLH6-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装。这款 MOSFET 具有高效的导通特性和低导通电阻，适用于各种电源和开关
2024-07-11 11:47 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 X3C26P1-30S 是一款定向耦合器，频率为 2.3 至 2.9 GHz，耦合 30 dB，耦合变化 ±0.8 至 1 dB，方向性 20 至 22 dB
2023-08-16 09:33 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
该X3C26P1-03S技术的技术是一个90度的混合耦合器,频率2.3到2.91千兆赫,平均功率80到110瓦,插入损失0.18到0.2分贝,隔离20到23分贝,耦合3分贝。
2023-08-11 09:14 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
MGV125-26-P55GaAs 超突变变容二极管MGV 系列超突变变容二极管采用钝化台面结构，可实现低泄漏和出色的后调谐漂移。提供三个常数伽马系列，0.75、1.0 和 1.25。这些二极管将在
2022-10-27 12:25 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
Mini Circuits 的 JSPHS-26 是一款模拟移相器，频率为 18 至 26 MHz，相移 180 度，插入损耗 1.2 至 3 dB，控制电压 0 至 12 V，功率 20 dBm
2023-08-18 11:48 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**26N50L-T3P-T-VB**是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi生产，采用TO3P封装。这款MOSFET具有600V的漏源电压（VDS）和30V（±）的栅源电压
2024-07-11 11:41 微碧半导体VBsemi 企业号
