**FQD11P06-VB 详细参数说明:**- **品牌:** VBsemi- **型号:** FQD11P06-VB- **丝印:** VBE2610N- **封装:** TO252- **类型
2024-02-20 10:13 微碧半导体VBsemi 企业号
MGV075-11-P55MACOM 的 MGV075-11-P55 是电容为 0.13 pF、电容比为 1.7 至 2.9、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 3000
2023-04-10 16:36 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
Ω@4.5V, 20Vgs(±V)- 阈值电压(Vth):-1.43V- 封装类型:TO251应用简介:FQU11P06-VB是一种P沟道MOSFET晶体管,适用于
2023-12-21 16:39 微碧半导体VBsemi 企业号
是一款采用LDMOS技术的射频功率晶体管,提供了出色的功率输出与效率,是高频射频功率放大器中的理想选择。产品详情BLS7G3135L-350P,11是一款专为中高
2024-10-09 10:55 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
MACOM 的 MGV075-11-P55 是电容为 0.13 pF、电容比为 1.7 至 2.9、正向连续电流为 100 mA、功耗为 100 mW、Q 因子为 3000 的变容二极管。标签:表面
2022-09-20 10:03 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
**详细参数说明:**- 产品型号: FQD11P06TM-VB- 丝印: VBE2610N- 品牌: VBsemi- 封装: TO252- 沟道类型: P—Channel- 额定电压: -60V-
2024-02-19 13:35 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4P03L11-VB TO263 MOSFET 产品简介4P03L11-VB 是一款单P沟道MOSFET,采用TO263封装。该器件具备-30V的漏极电压(VD
2024-11-13 16:09 微碧半导体VBsemi 企业号