大家好， 在Ultrascale FPGA中，使用单片和下一代堆叠硅互连（SSI）技术编写。 “单片和下一代堆叠硅互连（SSI）技术”是什么意思？谢谢娜文G K.
2020-04-27 09:29
面向下一代电视的低功耗LED驱动IC是什么？
2021-06-04 06:36
随着移动行业向下一代网络迈进，整个行业将面临射频组件匹配，模块架构和电路设计上的挑战。射频前端的一体化设计对下一代移动设备真的有影响吗？
2019-08-01 07:23
翁寿松(无锡市罗特电子有限公司，江苏无锡214001)1 32 nm/22 nm工艺进展2006年1月英特尔推出全球首款45 nm全功能153 Mb SRAM芯片。英特尔将投资90亿美元在以下4座45 nm、300 mm晶圆厂量产45 nm MPU：(1)美国俄勒冈州Fab PID厂，2007年下半年量产；(2)美国亚利桑那州Fab 32厂，投资30亿美元，2007年末量产；(3)以色列Fab 28厂，投资35亿美元，2008年上半年量产；(4)美国新墨西哥州RioRancho Fab 11X厂，投资10～15亿美元，从90 nm过渡至45 nm，它是英特尔产首座300 mm晶圆厂，也是英特尔首座全自动化300 mm晶圆高量产厂。45 nm芯片的即将量产意味着32 nm/22 nm工艺将提到议事日程上，英特尔将于2009年推出32nmMPU，2011年推出22 nm MPU。IBM与特许将在IBM纽约州East Fishkill 300 mm晶圆厂内联合开发32 nm bulk CMOS工艺。2007年2月美光推出25 nm NAND闪存，3年后量产25 nm闪存。目前32 nm/22 nm工艺尚处于研发阶段。
2019-07-01 07:22
双向射频收发器NCV53480在下一代RKE中的应用是什么
2021-05-20 06:54
如何利用低成本FPGA设计下一代游戏控制台？
2021-04-30 06:54
怎样去设计GSM前端中下一代CMOS开关？
2021-05-28 06:13
充分利用人工智能，实现更为高效的下一代数据存储
2021-01-15 07:08
三星LED灯珠高亮度、色彩丰富、可智 能化控制等优点，使其成为下一代照明光源的有力竞争者，绿色节能是其对社会最重要的贡献。
2019-09-30 09:00
如何进行超快I-V测量？下一代超快I-V测试系统关键的技术挑战有哪些?
2021-04-15 06:33
