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型号：<b class='flag-s-7'>12N65</b>L-TC 品牌：

12N65L-TC TO-220F1 UTC 场效应管* RDS(ON) ≤ 0.8Ω @ VGS=10V, ID=6.0A* Fast switching capability

2022-01-18 15:14 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：10<b class='flag-s-7'>N65</b>L-ML 品牌：

供应功率mos管10N65L-ML UTC 10A，650V，提供-10n65参数及代换 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请 。>> 

2023-06-09 15:24 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：7<b class='flag-s-7'>N65</b>L 品牌：

 　The UTC 7N65-TC is a N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technol

2021-11-22 10:09 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：LND<b class='flag-s-7'>12N65</b> 品牌：

LND12N65 n沟道650V 12A功率mosfet管特征   ■ 低RDS(on)   ■ 低栅极电荷（ (typ. Qg = 41.9 nC

2021-11-22 10:44 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：SVF<b class='flag-s-7'>12N65</b>F 品牌：

场效应管12n65参数■12A，650V，RDS(on)（典型值）=0.64Ω@V-GS =10V■低栅极电荷量■低反向传输电容■开关速度快■提升了 dv/dt 能力骊微电子供应士兰微

2022-03-30 16:04 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：SLF<b class='flag-s-7'>12N65</b>C-VB 品牌：微碧

### SLF12N65C-VB 产品简介**SLF12N65C-VB** 是一款高电压 **N 型 MOSFET**，采用 **TO220F** 封装，具有 **650V** 的最大漏源电压

2025-09-17 15:15 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：QM<b class='flag-s-7'>12N65</b>F-VB 品牌：微碧

### QM12N65F-VB 产品简介QM12N65F-VB 是一款高电压单极 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高电压和中等电流应用而设计。该器件的最大漏源电压 (VDS

2025-09-16 15:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SWF<b class='flag-s-7'>12N65</b>B-VB 品牌：微碧

### SWF12N65B-VB MOSFET 产品简介SWF12N65B-VB 是一款高性能 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高压应用设计，具有最大漏源电压 (V_DS) 为

2025-09-19 14:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：TSF<b class='flag-s-7'>12N65</b>M-VB 品牌：微碧

### TSF12N65M-VB 产品简介TSF12N65M-VB 是一款高耐压 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高电压应用设计，具有 650V 的漏源电压（VDS）。该

2025-09-22 13:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：WFF<b class='flag-s-7'>12N65</b>-VB 品牌：微碧

### WFF12N65-VB MOSFET 产品简介WFF12N65-VB 是一款采用 TO220F 封装的单N通道 MOSFET，具有650V的漏源电压（VDS）和 ±30V 的栅源电压（VGS

2025-09-22 16:45 微碧半导体VBsemi 企业号