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型号：<b class='flag-s-7'>12N65</b>L-TC 品牌：

12N65L-TC TO-220F1 UTC 场效应管* RDS(ON) ≤ 0.8Ω @ VGS=10V, ID=6.0A* Fast switching capability

2022-01-18 15:14 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：10<b class='flag-s-7'>N65</b>L-ML 品牌：

供应功率mos管10N65L-ML UTC 10A，650V，提供-10n65参数及代换 ，更多产品手册、应用料资请向深圳市骊微电子申请 。>> 

2023-06-09 15:24 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：7<b class='flag-s-7'>N65</b>L 品牌：

 　The UTC 7N65-TC is a N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technol

2021-11-22 10:09 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：LND<b class='flag-s-7'>12N65</b> 品牌：

LND12N65 n沟道650V 12A功率mosfet管特征   ■ 低RDS(on)   ■ 低栅极电荷（ (typ. Qg = 41.9 nC

2021-11-22 10:44 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：SVF<b class='flag-s-7'>12N65</b>F 品牌：

场效应管12n65参数■12A，650V，RDS(on)（典型值）=0.64Ω@V-GS =10V■低栅极电荷量■低反向传输电容■开关速度快■提升了 dv/dt 能力骊微电子供应士兰微

2022-03-30 16:04 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>12N65</b>L-ML 品牌：

FEATURES* RDS(ON) ≤ 0.85 Ω @ VGS=10V, ID=6.0A* Fast switching capability* Avalanche energy tested* Improved dv/dt capability, high ruggedness

2021-11-24 16:40 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>12N65</b>-VB TO220F 品牌：微碧

### 12N65-VB TO220F 产品简介**产品概述**：12N65-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用Plannar技术制造，适用于中高压范围的电源管理和功率控制应用。其封装

2024-07-05 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>12N65</b>M5-VB TO252 品牌：微碧

### 12N65M5-VB TO252 产品简介12N65M5-VB 是一款由 VBsemi 推出的单N沟道 MOSFET，采用 TO252 封装技术。该器件具有 700V 的漏源电压 (VDS

2024-07-05 17:06 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>12N65</b>M5-VB TO220F 品牌：微碧

### 产品简介VBsemi的12N65M5-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Plannar技术，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导

2024-07-05 17:04 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：SAL<b class='flag-s-7'>12-65</b> 品牌：

美国索润森Sorensen蓄电池SAL12-65项目价格【参数说明】品牌：索润森Sorensen型号：：SAL12-65参数：：12V65AH适用范围：：UPS电源、直流系统、轨道交通【详细描述

2021-08-24 19:49 北京北极星能源科技有限公司 企业号