三菱电机从事功率半导体开发和生产已有六十多年的历史，从早期的二极管、晶闸管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱电机一直致力于功率半导体芯片技术和封装技术的研究探
2024-07-24 10:17
SiC芯片可以高温工作，与之对应的连接材料和封装材料都需要相应的变更。三菱电机高压SiC模块支持175℃工作结温，其封装技术相对传统IGBT模块封装技术做了很大改进，本文带你详细了解内部的封装技术。
2025-02-12 11:26
三菱电机（MitsubishiElectric）开发了保护联网车辆免受网络攻击的多层防御技术。
2019-01-25 09:50
2023-06-29 10:44
三菱电机开发了高耐压SiC MOSFET，并将其产品化，率先将其应用于驱动铁路车辆的变流器中，是一家在市场上拥有良好业绩记录的SiC器件制造商。本篇带你了解三菱电机高压
2024-12-18 17:35
2015年4月，Bodo’s Power上报道了三菱电机1款800 A/1200 V的全SiC 2in1模块（FMF800DX-24A）[3]。为了有效地驱动和保护该器件，PI公司开发了其专用的栅极
2018-05-26 10:38
MELFAF系列的工业机器人搭载了2D,3D视觉传感器，使机器人能够通过图像监测轻松实现2维，3维的工件抓取。同时更配有力觉传感器，利用压力监测的原理能够轻松对应精密电子行业复杂的接插组装及连续作业，从而使机器人的功能更为精准及人性化。
2019-03-07 11:15
5G将至，因大数据及云计算环境，更高带宽和更多应用大数据成为必需。在未来发展方向上，数据中心以及5G网络建设是高速光通信器件未来发展的两个重要风口。
2018-09-22 17:23
News Releases 三菱电机采用单个GaN功率放大器实现4G、5G及Beyond 5G/6G通信系统宽带运行 将有助于实现无线电单元共享和基站节能 图1 带有前置/后置放大器的基站图像 三菱
2023-06-27 15:10
1月31日，三菱电机株式会社宣布已成功开发出6.5kV耐压等级全SiC功率半导体模块，该模块采用单芯片构造和新封装，实现了世界最高功率密度的额定输出功率。
2018-02-03 11:52
