Sanyobattery三洋蓄电池核心提示:Sanyo蓄电池,三洋蓄电池,三洋工业电池,Sanyo电池Sanyobattery-日本Sanyo蓄电池三洋工业用蓄电池--
2023-12-20 11:28 北京北极星能源科技有限公司 企业号
核心提示:Sanyo蓄电池,三洋蓄电池,Sanyo电池Sanyobattery-Sanyo蓄电池三洋蓄电池TX-12-65AH现货价格尊敬的客户,感谢您对北京索瑞森科技电源有限公司的关注与支持!我们
2023-12-20 12:05 北京北极星能源科技有限公司 企业号
### IPD50R500CE-VB MOSFET 产品简介IPD50R500CE-VB 是一款高电压 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。它具有高达 500V 的漏源电压(VDS
2025-08-27 10:59 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IPD50R280CE-VB 产品简介IPD50R280CE-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,适用于高电压和高功率应用。其 500V 的漏源击穿电压
2025-08-27 10:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、IPD50R380CE-VB 产品简介 IPD50R380CE-VB 是一款高压单N沟道MOSFET,采用TO252封装。该MOSFET专为高电压应用设计,具有650V的最大
2025-08-27 10:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介 - IPD50R1K4CE-VBIPD50R1K4CE-VB 是一款高耐压的单N沟道功率MOSFET,采用TO252封装,设计用于高电压和高可靠性的应用。该MOSFET具有650V
2025-08-27 10:44 微碧半导体VBsemi 企业号
如需咨询请点击左侧关于页面,然后电联( 切记不要留言 不要留言 留言 留言看不到无法沟通)Mini-Circuits 36-12-141-50SM RF电缆组件产品概述Mini-Circuits
2024-10-17 10:28 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介IPD50R950CE-VB 是一款高电压单N沟道 MOSFET,封装为 TO252。其具备650V的漏源电压(VDS),±30V的栅源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth
2025-08-27 11:03 微碧半导体VBsemi 企业号