本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:52 编辑 请问三极管饱和导通时会有什么样的情况发生？
2012-08-23 13:56
我以前一直很奇怪为什么设计的时候需要使得三极管的电流方法倍数设计在30甚至20倍以下，才能保证三极管饱和，一般在Datasheet中看到是这样的：
2010-07-26 11:05
关于三极管饱和增益的问题分析
2021-06-08 10:34
各位前辈，我对于基础的三极管的理解还是不能把握要领。三极管做开关时处于饱和状态，要求集电结正偏，不是基极电压大于集电结电压么？但是实际应用中，比如单片机驱动三极管，单片
2017-09-07 17:07
在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，
2018-06-06 16:48
电路的过压保护启动了，为什么此时PNP（图中V1）一定是饱和导通？个人理解是，饱和导通时，A点与B点的电压差仅仅为0.7V，这样才使得PMOS关断，而在非饱和导通时，PNP的EC
2019-05-22 14:13
三极管饱和问题总结：1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的
2015-06-04 17:43
`书上说：三级管工作在饱和区的条件是，发射结和集电结都正偏。从内部结构上看：当集电结正偏时，发射区扩散到基区的电子在基区是属于少数载流子，而集电结正偏，应该是多数载流子运动，阻碍少数载流子运动，可为
2012-12-21 11:56
