高清图详解英特尔最新22nm_3D晶体管
2012-08-02 23:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑 高清图详解英特尔最新22nm 3D晶体管
2012-08-05 21:48
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个
2013-08-17 14:24
ofweek电子工程网讯 据英国路透社10月13日报道，韩国科技业巨擘三星电子当天发布业绩初估称，第三季营业利润可能较上年同期增长近两倍，创下新高，并优于分析师预期，因内存芯片价格强劲可能推高了
2017-10-13 16:56
相关的参数，以及双极晶体管的集电极-发射极相关的参数。 基本工作特性比较 这三种晶体管的工作特性各不相同。以下是Vce/Vds相对于基本的Ic/Id的特性。功率元器件基本上被用作开关，因此一般尽量在Vce/Vds较低
2020-06-09 07:34
的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。目前，业内最重要的代工企业台积电、三星和GF（格罗方德），在半导体工艺的发展上越来越迅猛，10nm制程才刚刚应用一年半，7n...
2021-07-29 07:19
常用晶体管
2012-08-20 08:41
晶体管参数
2012-04-19 06:47
的必要性晶体管和FET的工作原理晶体管和FET的近况第二章 放大电路的工作观察放大电路的波形放大电路的设计放大电路的性能共发射极应用电路第三章 增强输出的电路观察射极跟随器的波形电路设计射极跟随器的性能射极
2017-07-25 15:29
ΔuO = ΔiCRC 。实质上，这种控制作用就是放大作用。 3. 晶体管的工作状态 当给晶体管的两个 PN 结分别施加不同的直流偏置时，晶体管会有放大、饱和和截止
2021-05-13 06:43
