，10埃）开始一直使用到A7代。 从这些外壁叉片晶体管的量产中获得的知识可能有助于下一代互补场效应晶体管（CFET）的生产。 目前，领先的芯片制造商——英特尔、台积电和三星
2025-06-20 10:40
，满足未来轻薄化的需求。 芯片晶体管横截面 到了3nm之后，目前的晶体管已经不再适用，目前，半导体行业正在研发nanosheet FET（GAA FET）和nanowire FET（MBCFET
2020-07-07 11:36
较为激进的技术路线，以挽回局面。 4 月 18 日消息，据韩媒《ChosunBiz》当地时间 16 日报道，三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了40% 的良率，这高于
2025-04-18 10:52
很多晶体管组成的。芯片制程是指在芯片中，晶体管的栅极宽度。因为在整个芯片中，晶体
2019-12-10 14:38
的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。目前，业内最重要的代工企业台积电、三星和GF（格罗方德），在半导体工艺的发展上越来越迅猛，10nm制程才刚刚应用一年半，7n...
2021-07-29 07:19
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，并表示可以“采用同样的方法，达到
2015-12-14 13:45
高清图详解英特尔最新22nm_3D晶体管
2012-08-02 23:58
长度为350nm。所以我用这些单元模拟了一个电路。现在我需要在Xilinx FPGA芯片（xilinx ISE）中实现它，并比较这两者之间的延迟。为了使比较合理，我需要确保两者中的晶体管沟道长度相同。所以我正在寻找一
2019-11-11 07:10
电场控制材料的电导率。 鳍式场效应晶体管是一种非平面器件，即不受单个平面的限制。它也被称为3D，因为具有第三维度。 为避免混淆，必须了解不同的文献在提及鳍式场效应晶体管
2023-02-24 15:25
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑 高清图详解英特尔最新22nm 3D晶体管
2012-08-05 21:48
