，满足未来轻薄化的需求。 芯片晶体管横截面 到了3nm之后，目前的晶体管已经不再适用，目前，半导体行业正在研发nanosheet FET（GAA FET）和nanowire FET（MBCFET
2020-07-07 11:36
三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm工艺的DRAM，并表示可以“采用同样的方法，达到
2015-12-14 13:45
很多晶体管组成的。芯片制程是指在芯片中，晶体管的栅极宽度。因为在整个芯片中，晶体管的栅极是整个电路中最窄的线条。如果栅极宽度为10nm，则称其为10
2019-12-10 14:38
三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折，将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士，更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52
高清图详解英特尔最新22nm_3D晶体管
2012-08-02 23:58
的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。目前，业内最重要的代工企业台积电、三星和GF（格罗方德），在半导体工艺的发展上越来越迅猛，10nm制程才刚刚应用一年半，7n...
2021-07-29 07:19
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑 高清图详解英特尔最新22nm 3D晶体管
2012-08-05 21:48
韩国三星电子日前发布了像素间隔仅2.25μm，而开口率却高达55％以上的CMOS摄影元件（CMOS晶体管）。该元件摄影部分对角长度为1/2英寸（约8mm），集成了约720万个像素。 在像素间隔
2018-11-20 16:40
电场控制材料的电导率。 鳍式场效应晶体管是一种非平面器件，即不受单个平面的限制。它也被称为3D，因为具有第三维度。 为避免混淆，必须了解不同的文献在提及鳍式场效应晶体管
2023-02-24 15:25
调制和振荡器。晶体管可以独立封装，也可以封装在非常小的区域内，容纳1亿个或更多晶体管集成电路的一部分。（英特尔 3D 晶体管技术）严格来说，
2023-02-03 09:36
