高清图详解英特尔最新22nm_3D晶体管
2012-08-02 23:58
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:10 编辑 高清图详解英特尔最新22nm 3D晶体管
2012-08-05 21:48
的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。目前，业内最重要的代工企业台积电、三星和GF（格罗方德），在半导体工艺的发展上越来越迅猛，10nm
2021-07-29 07:19
1．晶体管的结构晶体管内部由两PN结构成，其三个电极分别为集电极（用字母C或c表示），基极（用字母B或b表示）和发射极（用字母E或e表示）。如图5-4所示，晶体管的两个
2013-08-17 14:24
本文为大家介绍“Si晶体管”（之所以前面加个Si,是因为还有其他的晶体管，例如SiC）。 虽然统称为“Si晶体管”，但根据制造工艺和结构，还可分为“双极”、“MOSFE
2020-06-09 07:34
常用晶体管
2012-08-20 08:41
晶体管参数
2012-04-19 06:47
的必要性晶体管和FET的工作原理晶体管和FET的近况第二章 放大电路的工作观察放大电路的波形放大电路的设计放大电路的性能共发射极应用电路第三章 增强输出的电路观察射极跟随器的波形电路设计射极跟随器的性能射极
2017-07-25 15:29
的eMRAM模块，只要增加3个掩模，就可以集成到芯片制造过程的后端。因此，该模块被允许插入使用批量、FinFET或FD-SOI制造工艺生产的芯片中，而不一定取决于所使用的前端制造技术。 由此也可以看出，三星
2023-03-21 15:03
ΔuO = ΔiCRC 。实质上，这种控制作用就是放大作用。 3. 晶体管的工作状态 当给晶体管的两个 PN 结分别施加不同的直流偏置时，晶体管会有放大、饱和和截止
2021-05-13 06:43
