三星电子近日在国际学会“IEDM 2015”上就20nm工艺的DRAM开发发表了演讲。演讲中称，三星此次试制出了20nm
2015-12-14 13:45
集成更多的晶体管，制程工艺也就越先进。而要让制程变得更先进，代价非常大，毕竟到纳米级别的晶体管，每精细一点点，需要的投入呈几何倍增长。当达到10nm级别的制程时，越往下
2019-12-10 14:38
），它们被认为是当今finFET的前进之路。 三星押注的是GAA环绕栅极晶体管技术，台积电目前还没有公布其具体工艺细节。三星在2019年抢先公布了GAA环绕栅极
2020-07-07 11:36
的宽度，也被称为栅长。栅长越短，则可以在相同尺寸的硅片上集成更多的晶体管。目前，业内最重要的代工企业台积电、三星和GF（格罗方德），在半导体工艺的发展上越来越迅猛，10nm
2021-07-29 07:19
的金属间距，从而实现了业内最高的晶体管密度。披露10纳米制程的功耗和性能最新进展英特尔高级院士马博（Mark Bohr）介绍了英特尔10纳米制程工艺的最新细节，展现了英特尔的技术领先性。在
2017-09-22 11:08
，10埃）开始一直使用到A7代。 从这些外壁叉片晶体管的量产中获得的知识可能有助于下一代互补场效应晶体管（CFET）的生产。 目前，领先的芯片制造商——英特尔、台积电和三星——正在利用其 18A、N2
2025-06-20 10:40
10nm、7nm等到底是指什么？芯片工艺从目前的7nm升级到3nm后，到底有多大提升呢？
2021-06-18 06:43
三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折，将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士，更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52
高清图详解英特尔最新22nm_3D晶体管
2012-08-02 23:58
按工作电压的极性可分为NPN型或PNP型。》 双极结型晶体管“双极”意味着电子和空穴在工作的同时都在运动。双极结型晶体管，又称半导体三极管，是通过一定工艺将两个PN结组
2023-02-03 09:36
