碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些
2023-02-03 15:25
SiC 生产过程分为 SiC 单晶生长、外延层生长及器件制造三大步骤，对应的是产业链衬底、外延、器件与模组四大环节。 主流制造衬底的方式首先以物理气相升华法，在高温真空环境下将粉料升华，通过温场的控制在籽晶表面生 长出碳化硅晶体。
2023-08-04 11:32
基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业，率先推出了碳化硅肖特基二极管、
2021-11-29 14:54
三菱电机今天宣布，将与安世半导体建立战略合作伙伴关系，共同开发面向电力电子市场的碳化硅 (SiC) 功率半导体。
2023-11-15 15:25
碳化硅（SiC）在半导体中扮演着至关重要的角色，其独特的物理和化学特性使其成为制作高性能半导体器件的理想材料。以下是碳化硅在半导
2025-01-23 17:09
第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料，用于高压、高温、高频场景。广泛应用于新能源汽车、光伏、工控等领域。因此第三
2023-08-11 10:17
目前，全球碳化硅产业处于快速发展阶段。据市场研究机构预测，未来几年碳化硅市场将保持高速增长态势。根据公开信息统计，2022年全球碳化硅市场份额约为18亿美元，该数据包括多家上市公司，如意法
2023-12-06 17:17
发布公告称全资子公司湖南三安半导体有限责任公司与意法半导体（中国）投资有限公司拟在重庆共同设立一家专门从事碳化硅外延、芯
2023-06-08 19:33
2023年11月，日本三菱电机、安世半导体（Nexperia）宣布，将联合开发高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立产品功率半导
2023-11-25 16:50
对新材料探索的脚步便从未停止。碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，属于第三代半导体材料，其禁带宽度高达3.0eV，相比第一代半导体
2023-02-02 17:39
