碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二
2020-10-02 18:20
第三代半导体性能优越，应用场景更广。半导体材料作为电子信息技术发展的 基础，经历了数代的更迭。随着应用场景提出更高的要求
2024-01-16 10:48
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心
2023-08-19 11:45
碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系
2024-01-20 17:18
碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二
2023-05-10 09:43
SiC作为第三代半导体材料具有优越的性能，相比于前两代半导体材料，
2023-06-28 11:19
晶片切割是半导体器件制造的关键步骤，切割方式和质量直接影响晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生产成本，同时对器件制造也有重大影响。碳化硅作为第三代半导体
2024-01-23 09:42
