第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
BTD25350双通道隔离，原方带死区时间设置，副方带米勒钳位功能，非常适合充电桩中后级LLC用SiC MOSFET方案 BTD25350系列双通道隔离型门极驱动器，峰值输出电流可达10A
2023-11-30 09:42 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
要求。 本文推荐基本半导体第二代碳化硅MOSFET B2M065120Z用于工业电源，可以替代英飞凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N
2023-06-17 10:59 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
国芯思辰接触的某安防项目上原先使用的是ST的BTA16，目前需要寻找国产芯片进行替代。 国芯思辰向其提到国产富芯微的三象限双向可控硅RT16，其VDRM与VRRM均可为600V电压，通态
2022-07-18 15:01 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
WT系列语音芯片-带您走进千家万户，畅享“智慧家居”生活语言为万物命名，给自然立法，我们有了和现实世界互动和沟通的工具。语言越发达，我们对于现实的理解也就越加丰富和深入，而原本杂乱无章的事物，就会
2022-04-13 14:08 WT-深圳唯创知音电子有限公司 企业号
简述FD2606S是高压、高速半桥栅极驱动器， 能够驱动N型功率MOSFET和IGBT。 FD2606S内置VCC和VB欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S逻辑
2024-08-01 18:00 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
使用。其中PFC维也纳电路AC/DC的开关频率40kHz左右，一般使用650V的超结MOSFET或者650V的IGBT，劣势是器件多，硬件设计复杂，效率低，失效率
2023-08-02 10:29 国芯思辰（深圳）科技有限公司 企业号
