高质量低缺陷的SiC晶体是制备SiC功率半导体器件的关键，目前比较主流的生长方法有PVT法、液相法以及高温CVD
2024-11-14 14:51
和Si晶体拉晶工艺类似，PVT法制备SiC单晶和切片形成晶圆过程中也会引入多种缺陷。这些缺陷主要包括：表面缺陷；引入深能级的点缺陷；位错；堆垛层错；以及碳包裹体和六方空
2023-12-26 17:18
SiC的物理特性决定了其生长难度。在常压环境下，SiC并无熔点，一旦温度攀升至2000℃以上，便会直接发生气化分解现象。从理论层面预测，只有在压强高达109Pa且温度超过3200℃的极端条件下，才有
2025-04-18 11:28
2018年model 3的数量是按照10多万的生产量，这个数据某种程度上快速在刺激SiC 的MOSFET市场，而接下来高端车型都是往超快充能力的车型即将交付（Taycan），由特斯拉的快速导入，一下子激发了竞争，以一
2019-01-18 11:44
各种多种晶型，它们的物性值也各不相同。其中，4H-SiC最合适用于功率器件制作。另外，SiC是唯一能够热氧化形成SiO2
2018-07-15 11:05
使用物理气相传输法（PVT）制备出直径 209 mm 的 4H-SiC 单晶，并通过多线切割、研磨和抛光等一系列加工工艺制备出标准 8 英寸
2022-12-20 11:35
纯SiC晶体是通过Lely升华技术生长的。晶体主要是6H-SiC，但包括其它多型体。1978年，Tairov和Tsvetkov发明了一种可复制的SiC
2022-12-28 11:44
1月5日，比亚迪发布会重磅发布了2款新的SiC电控的车型：比亚迪发布2款仰望车型搭载SiC电控，时隔2年，比亚迪再次公布了2款SiC电控的车型。正式发布了高端汽车品牌“仰望”，该品牌的两款量产车型也同步亮相同步亮相，
2023-06-29 16:53
无论是开发2D还是开发3D游戏，首先必须弄清楚坐标系的概念。在Cocos2d-x中，需要了解的有OpenGL坐标系、世界坐标系和节点坐标
2018-04-27 11:34
