JTIDS的第一阶段（即基本型）使用时分多址（TDMA）工作方式， 它将时间轴划分为一个个长度为 12.8 分钟的时元（epoch），每个时元又划分为长度为12秒的64个时帧（frame），每个时帧
2022-10-28 09:24
本文首先介绍了带隙基准是什么，然后分析了带隙基准的原理。
2019-08-06 17:48
铁氧体电感设计中如果磁芯尺寸选的不够大（Ae小），为了降低磁芯损耗/减小ΔB，需要把电感匝数加多，这时候磁芯气隙就会变大。处理过大的气隙，常用方法是气隙分段，或者用粉芯
2023-10-28 11:30
，普通的单馈电圆极化微带天线带宽一般不足3%，同时介质基片的离散性也会影响到谐振频率的准确性。共面波导（CPW）馈电的平面天线由于其辐射单元和馈电单元在同一平面内，易于和有源器件集成从而形成多种馈电方式
2018-04-16 16:36
宽带隙半导体是一种具有宽带隙的半导体材料，其特性是具有较宽的能带隙，可以吸收和发射更多的光子，从而提高半导体器件的效率。它广泛应用于太阳能电池、激光器件、光电子器件
2023-02-16 15:07
芯海科技（股票代码：688595）旗下快充芯片CPW3101成功获得“融合快速充电功能认证证书”，成为业界率先通过认证的UFCS充电协议芯片。
2023-02-24 09:48
讨论时隙主要是确定y的值。根据混合时隙的概念，时隙可以以DL 控制开头以UL 控制结尾。
2023-12-04 14:17
本文根据基准源的精度必须好于DAC设计精度指标。利用负反馈和基本电流镜等原理，合理设计电路的情况下得到了稳定的PTAT电流，并根据带隙基准电压源的设计原理得到一个高精度和快速启动的CMOS带隙基准
2018-03-05 10:45
本文介绍了一种多级图腾柱PFC拓扑，该拓扑利用硅MOSFET的简单性和成熟度以及一种新颖的模块化栅极驱动方法，实现了与使用宽带隙
2022-10-19 17:44
使用宽带隙半导体的技术可以满足当今行业所需的所有需求。顾名思义，它们具有更大的带隙，因此各种电子设备可以在高电压、高温和高频率下工作。碳化硅 （SiC） 和氮化镓 （GaN） 是最近推出的宽带隙
2022-07-29 08:06
