电子发烧友

型号：16197A 品牌：

1005 (mm)/0402 (inch)，大至 3225 (mm)/1210 (inch)。搭配選項 001 使用可選擇0603 (mm)/0201 (inc

2025-03-11 15:10 诚兴仪器 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>J100N</b>50X4B 品牌：

TTM Technologies 的 J100N50X4B 是一款端接器，频率 DC 至 4 GHz、功率 100 W、回波损耗 22 至 26 dB、工作温度 -55 至 150 摄氏度。标签

2023-08-17 15:43 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：AP09<b class='flag-s-7'>N20J</b>-HF-VB 品牌：微碧

### AP09N20J-HF-VB 产品简介AP09N20J-HF-VB是一款单N沟道MOSFET，封装形式为TO251，采用沟槽工艺技术。该器件适用于中高压应用，具

2024-12-16 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9916<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 9916J-VB 产品简介9916J-VB 是一款单 N 沟道场效应管（MOSFET），采用先进的沟道技术，具有低导通电阻和高漏极电流特性，适用于各种需要高效能

2024-11-26 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9912<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 9912J-VB MOSFET 产品简介9912J-VB是一款单N沟道MOSFET，采用Trench技术，封装为TO251。具有优秀的导通特性和低导通电阻，适用

2024-11-26 15:20 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9915<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介**产品型号：** 9915J-VB  **封装形式：** TO251  **配置：** 单N沟道MOSFET  **技术：** Trench技术

2024-11-26 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：9960<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介9960J-VB 是一款TO251封装的单通道N沟道MOSFET，采用Trench技术。它具有低导通电阻和高漏极电流能力，适用于需要高效能和可靠性的功率开关和电源管理

2024-11-26 16:13 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：HM50W 品牌：

 一，简介HM50W局部放电检测仪是我所总结多年局放测量经验研制，系统具备超声波局部放电检测、暂态地电压局部放电检测、特高频

2023-07-11 13:03 国电华美 企业号

型号：APM9948<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### 一、APM9948J-VB 产品简介APM9948J-VB 是一款高性能的双 N 沟道 MOSFET，采用 DI

2024-12-31 15:45 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP9918<b class='flag-s-7'>J</b>-VB 品牌：微碧

### AP9918J-VB MOSFET 产品简介AP9918J-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的 Trench 技术制造，具有高电流承载能力和

2024-12-26 14:43 微碧半导体VBsemi 企业号