低温漂低功耗的带隙基准源技术设计 摘 要：设计一种低温漂
2010-04-28 08:59
文针对传统基准电压的低PSR以及低输出电压的问题，通过采用LDO与带隙基准的混合设计，并且采用BCD工艺，得到了一种可以
2011-08-23 10:28
1.184 V，启动时间为0.5 μs，电源电压抑制比为-85 dB，版图面积为7531.9 μm2，并且能够集成于高速DAC芯片内部的带隙基准电压源。此
2018-03-05 10:45
传统的带隙电压基准源面积大、功耗大、不适应低功耗小面积的要求。本文立足于
2011-10-09 11:22
带隙是导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。带隙越大，电子由价
2017-11-24 15:45
本文为大家介绍一个cmos无运放带隙基准源电路。
2018-01-11 16:52
设计了一款带隙基准电压源，在LTspice下画出原理图，产生网表后，在Hspice下仿真，结果表明，温度系数为9.14×
2011-08-19 11:12
一种低功耗高PSRR的基准电压源 一般基于自偏置的基准电路，由于MOS
2009-11-11 10:07
带隙基准电压源的目的是产生一个对温度变化保持恒定的量，由于双极型晶体管的基极电压VBE，其温度系数在室温(300 K)时
2011-11-23 09:19
通过一阶、二阶、高阶以及分段等方式进行补偿，来提高基准源的精度[1]。本文基于一阶补偿后的基准电压输出特性，设计
2018-06-26 08:06
