时间。 更加环保：由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成，氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量，比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上，基于
2023-06-15 15:32
氮化镓外延片生长工艺较为复杂，多采用两步生长法，需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度，以防止氮化
2023-02-05 14:50
氮化镓(GaN)功率芯片，将多种电力电子器件整合到一个氮化镓
2023-06-15 14:17
通过SMT封装，GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率
2023-06-15 16:03
氮化镓芯片是什么？氮化镓芯片优缺点
2023-11-21 16:15
% 的能源浪费，相当于节省了 100 兆瓦时太阳能和1.25 亿吨二氧化碳排放量。 氮化镓的吸引力不仅仅在于性能和系统层面的能源利用率的提高。当我们发现，制造一颗片
2023-06-15 15:47
氮化镓外延片是一种由氮化镓制成的薄片，它可以用于制造电子元件、电子器件和
2023-02-14 14:05
氮化镓外延片指采用外延方法，使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的
2023-02-06 17:14
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究，始于 2009 年左右的香港科技大学，但强大的高压氮化镓功率
2023-06-15 15:28
氮化镓芯片的选用要从实际应用出发，结合实际使用场景，选择最合适的氮化镓芯片
2023-10-26 17:02
