VBsemi SH8J62TB-VB是一款具有卓越性能的双P沟道功率场效应管，具备以下性能参数：**技术规格:**- 额定电压：-30V- 额定电流：-7A- 导通电阻：35mΩ @ VGS=10V
2024-04-03 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号
6 - 18 GHz、25W GaN MMIC HPAWolfspeed 的 CMPA601J025 是一款 25 W MMIC HPA，采用 Wolfspeed 的高性能 0.15um GaN
2023-08-03 15:15 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
12.7 - 18 GHz、1W GaN MMIC HPAWolfspeed 的 CMPA1D1J001S 是一款 1W 封装 MMIC HPA，采用 Wolfspeed 的高性能 0.15um
2023-08-08 10:59 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
12.7 - 18 GHz、1W GaN MMIC HPAWolfspeed 的 CMPA1D1J001S 是一款 1W 封装 MMIC HPA，采用 Wolfspeed 的高性能 0.15um
2023-08-08 10:57 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
AT25512N-SH-T：高效存储解决方案在当今电子产品日益复杂的环境中，可靠和高效的数据存储解决方案显得尤为重要。Microchip（美国微芯）推出的AT25512N-SH
2024-11-05 10:19 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 9T15J-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介9T15J-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，适用于低电压高电流的应用场合。采用TO251封装，具备30V的漏源极电压额定值
2024-11-27 14:07 微碧半导体VBsemi 企业号
(ON)）：57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V- 阈值电压（Vth）：-0.81VSSM3J304T-VB 应用简介：SSM3J304T-VB是一款P-
2024-04-09 10:47 微碧半导体VBsemi 企业号
CMPA1D1J001S：高性能毫米波放大器在现代通信和雷达系统中，CMPA1D1J001S 是一款备受青睐的高性能毫米波放大器。它采用先进的 GaN 技术，确保了卓越的功率输出和频率响应。技术参数
2024-08-25 01:42 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介**9T16J-VB**是一款低压单N沟道MOSFET，采用TO251封装。它具备低漏极-源极电压和极低的导通电阻特性，适合于低压高功率处理的应用场合。采用Trench技术制造，能够
2024-11-27 14:12 微碧半导体VBsemi 企业号
Ω @ VGS=10V, VGS=20V- 门源电压阈值：Vth=-1V应用简介：SSM3J321T-VB是一款P—Channel沟道MOSFET，适用于多种电路设计和应用场
2024-04-09 11:18 微碧半导体VBsemi 企业号
