本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑 N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23
1.MOSFET的速度比晶体管或IGBT快。2.MOSFET的过电流适中；晶体管是一个流控流型的，要使集电极上的电流增大，基极上的电流就要增大，但是基极上的电流是无用的
2021-10-29 08:28
看懂MOSFET数据表，第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来，无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个
2022-11-18 06:39
三极管的组合，MOSFET存在高压时导通电阻高的缺点，但IGBT克服了这一缺点，在高压时IGBT仍具有较低的导通电阻。另外，相似功率容量的
2021-03-02 13:47
员在处理雪崩额定值时要小心，并且一定要在比较不同供货商的FET之前询问UIS测试条件。在“看懂MOSFET数据表”的第2部分，我会讲解所有FET数据表中都会出现的安全工作区 (SOA) 图，并且举例说明TI如何获得安
2015-11-19 15:46
来源 电子发烧友网芯片制造的过程就如同用乐高盖房子一样，先有晶圆作为地基，再层层往上叠的芯片制造流程后，就可产出必要的 IC 芯片（这些会在后面介绍）。然而，没有设计图，拥有再强制造能力都没有
2016-06-29 11:13
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30
（Mosfet和 IGBT）把直流电源变为交流型电源；通过变压器变出一定的电压，再整流后得到我们想要的目标电源。为了适应输入电压的波动范围，我们通过电压反馈和电流反馈来调节控制开关导通与关断信号的占空比
2012-07-04 17:05
LLC开关电源：http://t.elecfans.com/topic/47.html?elecfans_trackid=bbs_toptxt
2019-01-15 21:01
（Mosfet和 IGBT）把直流电源变为交流型电源；通过变压器变出一定的电压，再整流后得到我们想要的目标电源。为了适应输入电压的波动范围，我们通过电压反馈和电流反馈来调节控制开关导通与关断信号
2012-07-06 15:47
