Qorvo 的 CMD262 是一款 5 W GaN MMIC 功率放大器芯片，非常适合需要高功率和高线性度的 Ka 波段通信系统。该器件提供大于 26 dB 的增益，相应的输出 1 dB 压缩
2022-11-02 11:36 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
Custom MMIC 的 CMD262 是一款 5 W GaN MMIC 功率放大器，工作频率为 26 至 28 GHz（K，Ka 波段）。该功率放大器芯片提供超过 26 dB 的增益、+37.5
2022-10-11 09:35 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介`045N10N-VB TO262` 是一种高性能的单N沟道MOSFET，采用TO262封装技术。该产品以低导通电阻和高电流处理能力为特点，适用于各种高效电力转换和管理
2024-07-02 15:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介3N0403-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用 TO262 封装。它具有60V的漏源电压（VDS），适用于中功率应用。该器件采用了沟道（Trench）技术，具有较低的导通电
2024-11-06 15:56 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4N0403-VB是一款单通道N型MOSFET，采用Trench技术设计，封装为TO262。它具有60V的漏源电压额定值，适用于中高功率要求的电子应用。### 详细参数
2024-11-12 15:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### AOB262L-VB 产品简介AOB262L-VB 是一款单 N-Channel MOSFET，采用 TO263 封装，设计用于高电压和高电流的应用场合。它采用先进的 Trench 技术
2024-12-05 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4N0406-VB 产品简介4N0406-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO262封装。它具有优异的导通特性和高电流承载能力，适用于要求高功率密度和高效率的电子电路设计。采用沟槽
2024-11-12 15:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介4N0404-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO262封装，适用于高功率和高效能应用。该器件具有60V的漏源电压（VDS），极低的导通电阻和高达75A的漏极电流（ID
2024-11-12 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**3N0404-VB**是一款由VBsemi生产的单N沟道MOSFET，采用TO262封装。该器件具有低漏极电压和低导通电阻的特点，适用于高电流、低压降的应用场
2024-11-06 16:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### VBsemi 262P-VB MOSFET 产品概述VBsemi 262P-VB 是一款高性能的 P-Channel MOSFET，专为需要高效能电源管理和开关功能的各种应用而设计。该器件
2024-07-11 11:30 微碧半导体VBsemi 企业号
